dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
ROZWIŃ
Opis przedmiotu przetargu: Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 µm i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt.: 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.
Ogłoszenie nr 82446 - 2017 z dnia 2017-05-12 r.
Warszawa: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
OGŁOSZENIE O ZAMIARZE ZAWARCIA UMOWY - Dostawy
OGŁOSZENIE O ZAMIARZE ZAWARCIA UMOWY - Dostawy
Zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej
Nazwa projektu lub programu:
Postępowanie przeprowadza centralny zamawiający
nie
Postępowanie przeprowadza podmiot, któremu zamawiający powierzył/powierzyli przeprowadzenie postępowania
nie
Informacje na temat podmiotu, któremu zamawiający powierzył/powierzyli prowadzenie postępowania:
Postępowanie jest przeprowadzane wspólnie przez zamawiających
nie
Postępowanie jest przeprowadzane wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej
nie
W przypadku przeprowadzania postępowania wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej – mające zastosowanie krajowe prawo zamówień publicznych:
Informacje dodatkowe:
SEKCJA I: ZAMAWIAJĄCY
I. 1) NAZWA I ADRES:
Instytut Technologii Elektronowej, krajowy numer identyfikacyjny 3897100000, ul. Al. Lotników , 02668 Warszawa, państwo Polska, woj. mazowieckie, tel. 225 487 700, faks 228 470 631, e-mail azygler@ite.waw.pl Adres strony internetowej (URL): www.ite.waw.pl
I. 2) RODZAJ ZAMAWIAJĄCEGO:
Podmiot prawa publicznego
I.3) WSPÓLNE UDZIELANIE ZAMÓWIENIA
(jeżeli dotyczy):
Podział obowiązków między zamawiającymi w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania, w tym w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej (który z zamawiających jest odpowiedzialny za przeprowadzenie postępowania, czy i w jakim zakresie za przeprowadzenie postępowania odpowiadają pozostali zamawiający, czy zamówienie będzie udzielane przez każdego z zamawiających indywidualnie, czy zamówienie zostanie udzielone w imieniu i na rzecz pozostałych zamawiających):
SEKCJA II: PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA
II.1) Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego:
dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1.5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1.5 cala
Przed wszczęciem postępowania o udzielenie zamówienia nie przeprowadzono dialogu technicznego
II.2) Rodzaj zamówienia
Dostawy
II.3) Informacja o możliwości składania ofert częściowych:
Zamówienie podzielone jest na części:
Nie
II.4) Krótki opis przedmiotu zamówienia
(wielkość, zakres, rodzaj i ilość dostaw, usług lub robót budowlanych lub określenie zapotrzebowania i wymagań):
Określenie wielkości lub zakresu zamówienia: Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 µm i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt.: 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.
II.5) Główny kod CPV):
24311140-0,
Dodatkowe kody CPV:
II.6) Całkowita wartość zamówienia
(jeżeli zamawiający podaje informacje o wartości zamówienia):
Wartość bez VAT:
Waluta:
SEKCJA III: PROCEDURA
III.1) Tryb udzielenia zamówienia:
Zamówienie z wolnej ręki
III.2) Podstawa prawna
Postępowanie wszczęte zostało na podstawie art. 67 ust 1 pkt 1b ustawy Pzp.
III.3 Uzasadnienia wyboru trybu
Należy podać uzasadnienie faktyczne i prawne wyboru trybu oraz wyjaśnić, dlaczego udzielenie zamówienia jest zgodne z przepisami:
Wysokiej klasy monokrystaliczne, półizolacyjne podłoża GaN (GaN SI) oraz podłoża GaN typu n o niskiej gęstości dyslokacji są potrzebne do realizacji prac badawczo-rozwojowych w dziedzinie przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości realizowanych w ITE. Materiałem spełniającym nasze wymagania (gęstość dyslokacji poniżej 10^5 cm^-2, rezystancja GaN SI ≥10^9 Ωcm) są podłoża GaN wytwarzane metodą ammonotermalną przez firmę AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej. W szczególności dotyczy to podłoży n-GaN, bowiem podłoża o tak niskiej gęstości dyslokacji oferowane są obecnie jedynie przez firmę AMMONO. Ammonotermalna technologia otrzymywania monokrystalicznego GaN oparta jest na szeregu patentów będących własnością firmy AMMONO. Podłoża GaN SI przeznaczone będą do prac rozwojowych nad technologią mikrofalowego tranzystora HEMT na pasmo S i wyższe. Badania nad tego typu tranzystorem wykorzystujące struktury AlGaN/GaN na podłożach z półizolacyjnego, monokrystalicznego azotku galu wytwarzanego metodą ammonotermalną rozpoczęte zostały w ramach projektu PBS1/A3/9/2012 Pol-HEMT. Członkiem konsorcjum realizującego projekt była firma AMMONO S.A. (obecnie AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej), której zadaniem było dostarczanie podłoży GaN SI. W wyniku przeprowadzonych badań wykonano wysokiej kasy tranzystor HEMT AlGaN/GaN, osiągając stopień zaawansowania technologicznego na poziomie TRL 4-5. W celu doskonalenia technologii a także podwyższenia poziomu TRL konieczne jest kontynuowanie badań, w szczególności szeroko pojętych badań mechanizmów degradacji i niezawodności tranzystorów HEMT. Wynika stąd konieczność posiadania podłoży tego samego rodzaju, jakie używane były podczas realizacji projektu, tj. monokrystalicznych, półizolacyjnych podłoży GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną, których jedynym wytwórcą jest firma AMMONO. Płytki podłożowe GaN typu n będą wykorzystywane w badaniach nad rozwojem technologii wertykalnych przyrządów z azotku galu, takich jak diody i tranzystory MOSFET. Do tego typu przyrządów wymagane jest stosowanie objętościowych kryształów GaN, wysokodomieszkowanych o niskiej rezystancji, na których hodowane będą epitaksjalnie warstwy aktywne przyrządów. Podłoża powinny być jak najlepszej jakości krystalograficznej, o najniższej dostępnej gęstości dyslokacji, poniżej 1x10^5 cm^-2. Dyslokacje są jednymi z tzw. "killer defects" w konstrukcji przyrządów wertykalnych (np. diod bipolarnych typu p-i-n) ograniczającymi napięcie przebicia i zwiększającymi prądy upływu a AMMONO, jak wspomniano wyżej, jest jedynym dostawcą n-GaN o tak niskiej gęstości dyslokacji.
SEKCJA IV: ZAMIAR UDZIELENIA ZAMÓWIENIA
NAZWA I ADRES WYKONAWCY KTÓREMU ZAMAWIAJĄCY ZAMIERZA UDZIELIĆ ZAMÓWIENIA:
Ammono SA - w upadłości likwidacyjnej, , ul. Prusa 2 , 00-493, Warszawa, kraj/woj.
Ogłoszenie nr 91702 - 2017 z dnia 2017-06-02 r.
Warszawa: dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala
OGŁOSZENIE O UDZIELENIU ZAMÓWIENIA -
OGŁOSZENIE O UDZIELENIU ZAMÓWIENIA -
Zamieszczanie ogłoszenia:
obowiązkowe.
Ogłoszenie dotyczy:
zamówienia publicznego
Zamówienie dotyczy projektu lub programu współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej
nie
Nazwa projektu lub programu
Zamówienie było przedmiotem ogłoszenia w Biuletynie Zamówień Publicznych:
tak
Numer ogłoszenia: 82446
Ogłoszenie o zmianie ogłoszenia zostało zamieszczone w Biuletynie Zamówień Publicznych:
nie
SEKCJA I: ZAMAWIAJĄCY
Postępowanie zostało przeprowadzone przez centralnego zamawiającego
nie
Postępowanie zostało przeprowadzone przez podmiot, któremu zamawiający powierzył/powierzyli przeprowadzenie postępowania
nie
Postępowanie zostało przeprowadzone wspólnie przez zamawiających
nie
Postępowanie zostało przeprowadzone wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej
nie
W przypadku przeprowadzania postępowania wspólnie z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej – mające zastosowanie krajowe prawo zamówień publicznych::
Informacje dodatkowe:
I. 1) NAZWA I ADRES:
Instytut Technologii Elektronowej, krajowy numer identyfikacyjny 3897100000, ul. Al. Lotników , 02668 Warszawa, państwo Polska, woj. mazowieckie, tel. 225 487 700, faks 228 470 631, e-mail azygler@ite.waw.pl
Adres strony internetowej (URL): www.ite.waw.pl
I. 2) RODZAJ ZAMAWIAJĄCEGO:
Podmiot prawa publicznego
I.3) WSPÓLNE UDZIELANIE ZAMÓWIENIA (jeżeli dotyczy):
Podział obowiązków między zamawiającymi w przypadku wspólnego udzielania zamówienia, w tym w przypadku wspólnego przeprowadzania postępowania z zamawiającymi z innych państw członkowskich Unii Europejskiej (jeżeli zamówienie zostało udzielone przez każdego z zamawiających indywidualnie informacja w sekcji I jest podawana przez każdego z zamawiających, jeżeli zamówienie zostało udzielone w imieniu i na rzecz pozostałych zamawiających w sekcji I należy wskazać który z zamawiających zawarł umowę):
SEKCJA II: PRZEDMIOT ZAMÓWIENIA
II.1) Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego:
dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala
Numer referencyjny (jeżeli dotyczy):
II.2) Rodzaj zamówienia:
Dostawy
II.3) Krótki opis przedmiotu zamówienia (wielkość, zakres, rodzaj i ilość dostaw, usług lub robót budowlanych lub określenie zapotrzebowania i wymagań ) a w przypadku partnerstwa innowacyjnego - określenie zapotrzebowania na innowacyjny produkt, usługę lub roboty budowlane:
Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 µm i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt. 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt.
II.4) Informacja o częściach zamówienia:
Zamówienie podzielone jest na części:
II.5) Główny Kod CPV: 24311140-0
Dodatkowe kody CPV:
Dodatkowe kody CPV:
SEKCJA III: PROCEDURA
III.1) TRYB UDZIELENIA ZAMÓWIENIA
Zamówienie z wolnej ręki
III.2) Ogłoszenie dotyczy zakończenia dynamicznego systemu zakupów
III.3) Informacje dodatkowe:
SEKCJA IV: UDZIELENIE ZAMÓWIENIA
| Postępowanie/część zostało unieważnione nie Należy podać podstawę i przyczynę unieważnienia postępowania: | |
IV.1) DATA UDZIELENIA ZAMÓWIENIA: 23/05/2017 IV.2 Całkowita wartość zamówienia Wartość bez VAT 320000.00 Waluta PLN IV.3) INFORMACJE O OFERTACH Liczba otrzymanych ofert 1 w tym Liczba otrzymanych ofert od małych i średnich przedsiębiorstw: Liczba otrzymanych ofert od wykonawców z innych państw członkowskich Unii Europejskiej: Liczba otrzymanych ofert od wykonawców z państw niebędących członkami Unii Europejskiej: liczba ofert otrzymanych drogą elektroniczną: IV.4) LICZBA ODRZUCONYCH OFERT: IV.5) NAZWA I ADRES WYKONAWCY, KTÓREMU UDZIELONO ZAMÓWIENIA Zamówienie zostało udzielone wykonawcom wspólnie ubiegającym się o udzielenie: nie Ammono SA - w upadłości likwidacyjnej , , {Dane ukryte}, 00-493, Warszawa, kraj/woj. mazowieckie Wykonawca jest małym/średnim przedsiębiorcą: nie Wykonawca pochodzi z innego państwa członkowskiego Unii Europejskiej: nie Skrót literowy nazwy państwa: Wykonawca pochodzi z innego państwa nie będącego członkiem Unii Europejskiej: nie Skrót literowy nazwy państwa: IV.6) INFORMACJA O CENIE WYBRANEJ OFERTY/ WARTOŚCI ZAWARTEJ UMOWY ORAZ O OFERTACH Z NAJNIŻSZĄ I NAJWYŻSZĄ CENĄ/KOSZTEM Cena wybranej oferty/wartość umowy 393600.00 Oferta z najniższą ceną/kosztem 393600.00 > Oferta z najwyższą ceną/kosztem 393600.00 Waluta: PLN IV.7) Informacje na temat podwykonawstwa Wykonawca przewiduje powierzenie wykonania części zamówienia podwykonawcy/podwykonawcom Wartość lub procentowa część zamówienia, jaka zostanie powierzona podwykonawcy lub podwykonawcom: IV.8) Informacje dodatkowe: | |
IV.9) UZASADNIENIE UDZIELENIA ZAMÓWIENIA W TRYBIE NEGOCJACJI BEZ OGŁOSZENIA, ZAMÓWIENIA Z WOLNEJ RĘKI ALBO ZAPYTANIA O CENĘ
IV.9.1) Podstawa prawna
Postępowanie prowadzone jest w trybie zamówienie z wolnej ręki na podstawie art. 67 ust. 1 pkt 1b ustawy Pzp.
IV.9.2) Uzasadnienia wyboru trybu
Należy podać uzasadnienie faktyczne i prawne wyboru trybu oraz wyjaśnić, dlaczego udzielenie zamówienia jest zgodne z przepisami.
Wysokiej klasy monokrystaliczne, półizolacyjne podłoża GaN (GaN SI) oraz podłoża GaN typu n o niskiej gęstości dyslokacji są potrzebne do realizacji prac badawczo-rozwojowych w dziedzinie przyrządów wysokiej mocy i wysokiej częstotliwości realizowanych w ITE. Materiałem spełniającym nasze wymagania (gęstość dyslokacji poniżej 10^5 cm^-2, rezystancja GaN SI ≥10^9 Ωcm) są podłoża GaN wytwarzane metodą ammonotermalną przez firmę AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej. W szczególności dotyczy to podłoży n-GaN, bowiem podłoża o tak niskiej gęstości dyslokacji oferowane są obecnie jedynie przez firmę AMMONO. Ammonotermalna technologia otrzymywania monokrystalicznego GaN oparta jest na szeregu patentów będących własnością firmy AMMONO. Podłoża GaN SI przeznaczone będą do prac rozwojowych nad technologią mikrofalowego tranzystora HEMT na pasmo S i wyższe. Badania nad tego typu tranzystorem wykorzystujące struktury AlGaN/GaN na podłożach z półizolacyjnego, monokrystalicznego azotku galu wytwarzanego metodą ammonotermalną rozpoczęte zostały w ramach projektu PBS1/A3/9/2012 Pol-HEMT. Członkiem konsorcjum realizującego projekt była firma AMMONO S.A. (obecnie AMMONO S.A. w upadłości likwidacyjnej), której zadaniem było dostarczanie podłoży GaN SI. W wyniku przeprowadzonych badań wykonano wysokiej kasy tranzystor HEMT AlGaN/GaN, osiągając stopień zaawansowania technologicznego na poziomie TRL 4-5. W celu doskonalenia technologii a także podwyższenia poziomu TRL konieczne jest kontynuowanie badań, w szczególności szeroko pojętych badań mechanizmów degradacji i niezawodności tranzystorów HEMT. Wynika stąd konieczność posiadania podłoży tego samego rodzaju, jakie używane były podczas realizacji projektu, tj. monokrystalicznych, półizolacyjnych podłoży GaN wytwarzanych metodą ammonotermalną, których jedynym wytwórcą jest firma AMMONO. Płytki podłożowe GaN typu n będą wykorzystywane w badaniach nad rozwojem technologii wertykalnych przyrządów z azotku galu, takich jak diody i tranzystory MOSFET. Do tego typu przyrządów wymagane jest stosowanie objętościowych kryształów GaN, wysokodomieszkowanych o niskiej rezystancji, na których hodowane będą epitaksjalnie warstwy aktywne przyrządów. Podłoża powinny być jak najlepszej jakości krystalograficznej, o najniższej dostępnej gęstości dyslokacji, poniżej 1x10^5 cm^-2. Dyslokacje są jednymi z tzw. "killer defects" w konstrukcji przyrządów wertykalnych (np. diod bipolarnych typu p-i-n) ograniczającymi napięcie przebicia i zwiększającymi prądy upływu a AMMONO, jak wspomniano wyżej, jest jedynym dostawcą n-GaN o tak niskiej gęstości dyslokacji.