Podłoża z azotku galu dla epitaksji struktur półprzewodnikowych

ROZWIŃ

Opis przedmiotu przetargu: Podłoża z azotku galu dla epitaksji struktur półprzewodnikowych.IWC PAN zamierza zakupić w latach 2012-2014 -kryształy jedno i dwucalowe o łącznej powierzchni 250 cm2 Orientacja - płaszczyzna C Rozmiar: podłoża 1 cal i podłoża 2 cale Ilość dyslokacji <105cm-2 Typ przewodnictwa: n Koncentracja elektronów >1019cm-3 Podłoża polerowane mechanicznie z nadaną konkretną dezorientacją z przedziału od 0.3 do 0.6 stopnia do C zgodnie z bieżącym zamówieniem.

Publikacja BZP / TED

Brak pliku (292396_2012.html) ogłoszenia! ERROR: 002

Brak pliku ogłoszenia! 4

Instytut Wysokich Ciśnień PAN

Adres:	ul. Sokołowska , 01-142 Warszawa woj. mazowieckie

Dane kontaktowe:	email: ljacyna@unipress.waw.pl tel: 226 325 010 fax: 226 324 218

Termin składania wniosków lub ofert:

2012-09-04

Dane postępowania

ID postępowania BZP/TED:	29239620120
ID postępowania Zamawiającego:
Data publikacji zamówienia:	2012-08-08
Rodzaj zamówienia:	dostawy
Tryb& postępowania [PN]:	Przetarg nieograniczony
Czas na realizację:	787 dni
Wadium:	-
Oferty uzupełniające:	NIE
Oferty częściowe:	NIE
Oferty wariantowe:	NIE
Przewidywana licyctacja:	NIE
Ilość części:	1
Kryterium ceny:	100%
WWW ogłoszenia:	http://www.unipress.waw.pl
Informacja dostępna pod:	Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk UNIPRESS, ul. Sokołowska 29/37, 01-142 Warszawa, Sekretariat
Okres związania ofertą:	30 dni

Kody CPV

	31712330-2	Półprzewodniki